假如力傳感器過(guò)載后果和簡(jiǎn)單的保護(hù)方法

力傳感器有很多參數(shù)指標(biāo)，其中有一項(xiàng)是過(guò)載保護(hù)，過(guò)載就是負(fù)荷過(guò)大，超過(guò)了設(shè)備本身的額定負(fù)載，產(chǎn)生的現(xiàn)象是電流過(guò)大，用電設(shè)備發(fā)熱，線路長(zhǎng)期過(guò)載會(huì)降低線路絕緣水平，甚至燒毀傳感器設(shè)備或線路；過(guò)載保護(hù)就是即使負(fù)荷超過(guò)了額定負(fù)載也不會(huì)出現(xiàn)燒壞線路的情況，但是也有一個(gè)度，一般是150%的范圍內(nèi)，而且不能持續(xù)過(guò)載工作。

力傳感器有很多形式，每種結(jié)構(gòu)形式的過(guò)載保護(hù)設(shè)計(jì)方法也是各不相同的，眾多方法都有各自的優(yōu)點(diǎn)和缺點(diǎn)，采用MEMS技術(shù)的小量程、高靈敏力傳感器通常有平膜、島膜、梁膜等結(jié)構(gòu)，在設(shè)計(jì)過(guò)載保護(hù)時(shí)，一般采用凸臺(tái)等方法實(shí)現(xiàn)，形成方法有背部刻蝕技術(shù)、硅直接鍵合技術(shù)、玻璃刻蝕技術(shù)等。然而這些結(jié)構(gòu)一般都有一個(gè)很大的局限性就是腔體尺寸較大，進(jìn)一步提高靈敏度受到限制，而且降低了硅片利用率，增加了力矩傳感器制造工藝的復(fù)雜度，提高了生產(chǎn)成本。

目前，小量程、高靈敏力傳感器的研究熱點(diǎn)集中在犧牲層結(jié)構(gòu)力傳感器，這主要是因?yàn)闋奚鼘咏Y(jié)構(gòu)力傳感器彈性膜片很薄，厚度可做到2μm，甚至更薄。在這樣薄的結(jié)構(gòu)上，如果采用擴(kuò)散硅或多晶硅薄膜作為犧牲層結(jié)構(gòu)力傳感器的應(yīng)變電阻，其厚度相對(duì)較大，對(duì)彈性膜片應(yīng)力分布影響很大，不利于犧牲層結(jié)構(gòu)壓力傳感器的性能優(yōu)化，因此采用多晶硅納米薄膜制作應(yīng)變電阻更能發(fā)揮犧牲層技術(shù)的優(yōu)點(diǎn)。

過(guò)載保護(hù)是每種傳感器都要考慮的，因?yàn)樵谑褂眠^(guò)程中可能會(huì)出現(xiàn)測(cè)量值大于量程的情況，只有設(shè)計(jì)了過(guò)載保護(hù)的傳感器才能更加好的使用，也才能使用得更久。具體每種傳感器的過(guò)載保護(hù)是如何設(shè)計(jì)的，過(guò)載范圍是多少都是不同的，所以不管是買哪種傳感器廠家要了解它的過(guò)載保護(hù)是多少，這樣才能更加好的方便使用，在未來(lái)使用過(guò)程中也不會(huì)出現(xiàn)由于過(guò)載燒壞電路的情況。